江苏长晶科技股份有限公司杨国江获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏长晶科技股份有限公司申请的专利屏蔽栅场效应晶体管的制备方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510963035.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权屏蔽栅场效应晶体管的制备方法和半导体结构是由杨国江;康子楠设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅场效应晶体管的制备方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法和半导体结构。一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一掺杂浓度的第一介质层，形成第二掺杂浓度的第二介质层；形成第三掺杂浓度的第三介质层；第二介质层的厚度小于第一介质层和第三介质层的厚度，第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度和第三掺杂浓度；开设沟槽，于沟槽内形成第四介质层，形成源极多晶硅和栅极多晶硅；形成第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区；形成接触线连接第一导电类型掺杂区。如此，在保证峰值电场在底部发生击穿的同时，还能使比导通电阻仅带来微小的变化，同时，还能确保无需调节其他工艺条件，保证对器件的其他性能参数不带来影响。
本发明授权屏蔽栅场效应晶体管的制备方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成第一掺杂浓度的第一介质层，于所述第一介质层上形成第二掺杂浓度的第二介质层；于所述第二介质层上形成第三掺杂浓度的第三介质层；所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层和所述第三介质层的厚度，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度和所述第三掺杂浓度；所述第一介质层是外延层；所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的掺杂类型相同，均为第二导电类型； 开设沟槽，于所述沟槽内形成第四介质层，于所述第四介质层内形成源极多晶硅和栅极多晶硅； 于所述第三介质层形成第一导电类型掺杂区，于所述第一导电类型掺杂区顶部通过离子注入形成第二导电类型掺杂区；所述第一导电类型掺杂区是体区； 形成接触线连接所述第一导电类型掺杂区。
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