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龙图腾网获悉昆山一鼎工业科技有限公司申请的专利基于镶嵌构造的电解装置模型的构建方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120509220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511006211.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于镶嵌构造的电解装置模型的构建方法及系统是由门松明珠;周智翰;周爱和设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于镶嵌构造的电解装置模型的构建方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及基于镶嵌构造的电解装置模型的构建方法及系统，该方法包括：提供镶嵌式电解装置，将待电解镀覆半导体电子元件设置于镶嵌式电解装置的所定位置，计算电解阳极器件喷射出口的截面积，以及半导体电子元件局部镀区面积；构建电解阳极器件运算模型以及半导体电子元件局部镀区运算模型。本发明能够快速获得选择性可调的镶嵌电解阳极射流出口尺寸、并且能够精密电镀加工各种高端半导体电子元件局部镀区的选择性可调的电解阳极、电镀装置及电镀方法，实现了只要更换不同尺寸的镶嵌电解阳极与电解模具镶嵌组合，既能用于不同电镀区域的半导体电子元件产品，还能够精准、快速获取各种不同半导体电子元件局部镀区的基于镶嵌构造的电解装置模型。

本发明授权基于镶嵌构造的电解装置模型的构建方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于镶嵌构造的电解装置模型的构建方法，其特征在于，包括： 步骤1：提供镶嵌式电解装置700，所述镶嵌式电解装置700包括电解模具500a，所述电解模具500a开设有若干个通口510，在每个所述通口510镶嵌电解阳极器件610； 步骤2：在所述电解模具500a的每个通口510中镶嵌电解阳极器件610后，形成用于组装镶嵌式电解装置700的开口电解模具500b，电解阳极器件610的镂空截面积与半导体电子元件局部镀区的形状和面积相吻合； 步骤3：将待电解镀覆半导体电子元件设置于镶嵌式电解装置700的所定位置； 步骤4：计算电解阳极器件610喷射出口的截面积S阳极，以及半导体电子元件局部镀区面积S镀区； 步骤5：基于金属材料热膨胀系数α方程构建电解阳极器件运算模型，以及半导体电子元件局部镀区运算模型； 步骤6：基于步骤5的电解阳极器件运算模型，通过对步骤4中的电解阳极器件610进行模拟优化，获取喷射出口的模拟截面积S模拟阳极，以及半导体电子元件局部镀区模拟面积S模拟镀区； 步骤7：基于步骤6的半导体电子元件局部镀区，其正四方形局部镀区的边长L镀区满足L最小标准≤L镀区≤L最小标准+0.05mm的要求，其中L最小标准为半导体电子元件局部镀区的最小尺寸，通过将步骤6的S模拟阳极和S模拟镀区应用于高端镀覆设备模组进行测试，获得实际的S实测阳极和S实测镀区； 步骤8：比较S实测阳极和S实测镀区，若满足： S 实测镀区≤S实测阳极≤S实测镀区+0.05mm公式1 则确认所述镶嵌构造的电解装置模型适用；否则以实际的S实测阳极和S实测镀区为基准，修正S模拟阳极和S模拟镀区并循环步骤4至步骤8，直至满足公式1的条件。

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