伯芯微电子(天津)有限公司郭艳飞获国家专利权
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龙图腾网获悉伯芯微电子(天津)有限公司申请的专利一种芯片封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120511241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510993315.9，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种芯片封装结构及封装方法是由郭艳飞;袁蕊;李金钵;边岩;余洋设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种芯片封装结构及封装方法，包括：散热侧板、键接底板、塑封底板、基底芯片层、组合封装单元、第一散热间隙板、第二散热间隙板和集成绝缘连接板，所述基底芯片层键和在键接底板上，基底芯片层上侧通过集成绝缘连接板与组合封装单元连接，第一散热间隙板设置在基底芯片层和集成绝缘连接板之间，第二散热间隙板设置在集成绝缘连接板和组合封装单元之间，第一散热间隙板和第二散热间隙板两端与散热侧板贴合连接，散热侧板设置有两组，两组散热侧板键接在组合封装单元和键接底板两侧，散热侧板和键接底板下侧通过塑封底板固定连接，本发明结构合理，可以对复杂集成芯片进行有效散热，且空间结构紧凑，便于使用。
本发明授权一种芯片封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：散热侧板1、键接底板2、塑封底板3、基底芯片层4、组合封装单元5、第一散热间隙板6、第二散热间隙板7和集成绝缘连接板8，所述基底芯片层4键和在键接底板2上，基底芯片层4上侧通过集成绝缘连接板8与组合封装单元5连接，第一散热间隙板6设置在基底芯片层4和集成绝缘连接板8之间，第二散热间隙板7设置在集成绝缘连接板8和组合封装单元5之间，第一散热间隙板6和第二散热间隙板7两端与散热侧板1贴合连接，散热侧板1设置有两组，两组散热侧板1键接在组合封装单元5和键接底板2两侧，散热侧板1和键接底板2下侧通过塑封底板3固定连接；所述第一散热间隙板6和第二散热间隙板7为中空结构，第一散热间隙板6和第二散热间隙板7材质使用透明导热金属，内部填充有膨胀合金。
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