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龙图腾网获悉合肥灿芯科技有限公司申请的专利一种应用于逐次逼近型模数转换器的时钟产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510977151.0，技术领域涉及：H03M1/60；该发明授权一种应用于逐次逼近型模数转换器的时钟产生电路是由林志伦;段江昆;郭依静设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于逐次逼近型模数转换器的时钟产生电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于逐次逼近型模数转换器的时钟产生电路，属于模数转换器的时钟产生电路设计技术领域，其中，时钟产生模块输入信号CLK_IN的高电平，让PMOS管M3对电容阵列充电，使得Vint信号逐步上升，经过MOS管M4‑M10将Vint信号与VCM做比较，获得初步接近目标值占空比的时钟。本发明，通过模拟积分器的方法获得初步精度的占空比时钟，并通过自适应的调整逻辑对占空比细调；能够让SARADC的采样时间在PVT下保持稳定的占空比，且对于时钟下降沿的仅引入极小的时钟抖动，同时能够确保高速SARADC的采样性能。

本发明授权一种应用于逐次逼近型模数转换器的时钟产生电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于逐次逼近型模数转换器的时钟产生电路，其特征在于，该时钟产生电路由时钟产生模块和时钟占空比调整逻辑电路两部分组成； 所述时钟产生模块的输入信号CLK_IN，经过反相器I0得到信号CKIN_B，CKIN_B连接到NMOS管M1以及PMOS管M2的栅极上，NMOS管M1的源极连接到地GND上；NMOS管M1以及PMOS管M2的漏极连接在一起，同时连接到Vint线上；PMOS管M2的源极连接到尾电流器件PMOS管M3的漏极上；尾电流器件PMOS管M3的源极连接到电源VDD上，栅极连接到偏置电压VBP上；N-bit电容阵列的电容顶板连接到Vint线上，每个电容的底板各自连接一个开关，开关的另外一侧连接到地GND上，开关的控制信号为N-bit电容阵列的控制信号cap_ctlN:1；NMOS管M5以及M6是一对差分输入对，NMOS管M5的栅端连接到Vint线上，NMOS管M6的栅端连接到共模电压VCM上；NMOS管M5以及M6的源端连接在一起，并连接到尾电流源NMOS管M4的漏端；尾电流源NMOS管M4的源端连接到地GND上，栅端连接到偏置电压IB上；PMOS管M7、M8的漏端分别连接到NMOS管M5、M6的漏端上，且PMOS管M7和M8的栅端连接在一起，并连接到PMOS管M8的漏端上；PMOS管M7的漏端还连接到NMOS管M9以及PMOS管M10的栅端上；NMOS管M9以及PMOS管M10的漏端连接在一起，同时并连到与门I1的其中一个输入端上；NMOS管M9以及PMOS管M10的源端分别连接到地GND以及电源VDD上；信号CKIN_B经过反相器I2之后连接到与门I1的另外一个输入端上；与门I1的输出时钟为CLKO； 所述时钟占空比调整逻辑电路中，反相器I2输出连接到延时模块I5输入到与门I6的其中一个输入端，同时反相器I2的输出连接到与门I6的另外一个输入端，与门I6的输出连接CKSW信号线，经过反相器I7连接到CKSWB信号线；反相器I2的输出还连接到反相器I3的输入端，反相器I3的输出连接到CLKO1信号线，经过反相器I4之后连接到CKO1B信号线；NMOS管M17,M16以及M11的栅端连接到输入电流源IB上，其中NMOS管M17的漏端同样连接到IB上，NMOS管M17、M16和M11的源端连接到地上；NMOS管M16的漏端连接到偏置电压VBP上，偏置电压VBP连接PMOS管M15的漏端以及源端上；PMOS管M14的栅端连接到VBP上，源端连接到电源VDD，漏端连接到PMOS管M13的源端；PMOS管M13的源端连接到CLKO1信号线上，漏端连接到NMOS管M12的漏端，并连接到VCP信号线上；NMOS管M12的栅端连接到CLKO信号线上，源端连接到M11的漏端；比较器ICMP的正、负差分输入信号分别连接到VCP、VCN信号线上，比较器ICMP的输出连接到信号线DP上；电容CL1以及电容CL2分别连接到VCP、VCN信号线上，其中CL1,CL2的电容值相同；开关S2、S1分别连接到VCP、VCN信号线上，开关S2、S1的另外一端都连接到输入共模电平VCM上，开关S2、S1的控制信号都是CKSW；比较器ICMP的输出信号DP连接到D型触发器I8的输入时钟CK端； 其中，D型触发器的输入端口为输入信号Q端和输入复位端R端，D型触发器的输出端口为输出正向数据端D端和输出反向数据端DB端。

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