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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法及靶材获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120519816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511028261.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法及靶材是由王方方;高明;张虎;徐惠彬设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法及靶材在说明书摘要公布了：本发明属于软磁高熵合金材料与磁控溅射技术领域，具体是涉及高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法及靶材，将靶材安装于磁控溅射设备腔室内，调整其溅射角度和高度；选择高电阻率的非磁性材料作为基底材料并进行清洗；多个基底安装于磁控溅射设备腔室内的样品台上，利用磁控溅射工艺，控制腔室气氛条件，每个靶材采用独立的靶枪，在基底表面溅射镀膜，得到多个具有不同材料成分的薄膜样品并进行测试，筛选得到高熵合金靶材的成分，依据上述成分制备靶材并进行热处理；本发明为多组分材料的高通量筛选提供了一个成分梯度平台并筛选出软磁性能优异的成分，溅射出的软磁薄膜性能更优异。

本发明授权高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法及靶材在权利要求书中公布了：1.高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1将靶材安装于磁控溅射设备腔室内，所述靶材为Fe靶材、Co靶材、Ni靶材和M靶材，所述M靶材为Zr靶材、B靶材或ZrB混合靶材中的一种； 步骤2选择非磁性材料作为基底，将多个基底安装于磁控溅射设备腔室内的样品架上； 步骤3每个靶材采用独立的靶枪，采用磁控溅射在基底表面溅射镀膜，得到具有成分含量梯度的多个薄膜样品；磁控溅射过程首先确定各成分元素的含量预设范围： 1Zr：10.5~14.2at%，Fe：21.7~50.5at%，Co：16.4~53.4at%，Ni：12.3~22.1at%；或 2B：7.5~12.1at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%；或 3B：4.6~8.8at%，Zr：2.7~6.5at%，Fe：20.3~54.5at%，Co：13.5~58.5at%，Ni：11.2~22.5at%； 随后通过实验获得各元素在不同溅射功率下的脱附速度，依据各元素在不同溅射功率下的脱附速度和各成分元素的含量预设范围，确定各靶材的溅射功率和薄膜样品摆放参数，使多个薄膜样品的成分含量符合各成分元素的含量预设范围； 步骤4对得到的多个薄膜样品进行测试，根据所需的性能要求，筛选得到高熵合金靶材的成分含量。

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