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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利集成半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511007381.0，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权集成半导体器件及其制备方法是由崔卫刚设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种集成半导体器件及其制备方法；制备方法可以包括：提供基底，基底包括横向排布的第一导电类型的SGT基底区和第二导电类型的BCD基底区；于BCD基底区中形成至少一个浅沟槽隔离结构；至少于SGT基底区形成耐压栅沟槽结构和屏蔽栅沟槽结构，屏蔽栅沟槽结构包括屏蔽栅极、控制栅极、屏蔽栅氧化层和控制栅氧化层，屏蔽栅氧化层隔离屏蔽栅极和基底，控制栅氧化层隔离控制栅极和基底、以及隔离屏蔽栅极和控制栅极；形成至少覆盖屏蔽栅沟槽结构的表面的隔离氧化层，隔离氧化层与控制栅氧化层连续。本申请能够降低SGT器件的IGSS漏电风险，并最小化SGT器件和BCD器件集成的交叉影响。

本发明授权集成半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括横向排布的第一导电类型的SGT基底区和第二导电类型的BCD基底区； 于所述BCD基底区中形成至少一个浅沟槽隔离结构； 形成横跨所述SGT基底区和所述BCD基底区的第二掩膜层，所述第二掩膜层层叠于垫层氧化层上，所述垫层氧化层位于所述基底上；所述第二掩膜层包括层叠于垫层氧化层上的硬掩模层和层叠于所述硬掩模层上的掩膜氧化层； 基于图案化工艺于所述第二掩膜层和所述垫层氧化层上形成至少位于所述SGT基底区的至少一个第二刻蚀窗口，并基于所述第二刻蚀窗口对所述SGT基底区进行沟槽刻蚀，得到多个深沟槽； 对所述多个深沟槽进行沟槽壁氧化处理，形成覆盖深沟槽槽壁的初始氧化层，所述初始氧化层与所述垫层氧化层连续； 于所述深沟槽中填充栅极材料，形成填充所述深沟槽并覆盖所述第二掩膜层的第一填充层； 以所述硬掩模层或所述垫层氧化层作为停止层，对所述第一填充层进行减薄处理，得到彼此隔离的至少一个栅极填充结构，所述至少一个栅极填充结构包括耐压栅沟槽结构对应的第一栅极填充结构和屏蔽栅沟槽结构对应的第二栅极填充结构； 基于所述至少一个栅极填充结构形成所述耐压栅沟槽结构和所述屏蔽栅沟槽结构，所述SGT基底区的耐压栅沟槽结构临近所述BCD基底区，所述屏蔽栅沟槽结构包括屏蔽栅极、控制栅极、屏蔽栅氧化层和控制栅氧化层，所述屏蔽栅氧化层隔离所述屏蔽栅极和所述基底，所述控制栅氧化层隔离所述控制栅极和所述基底、以及隔离所述屏蔽栅极和所述控制栅极； 形成至少覆盖所述屏蔽栅沟槽结构的表面的隔离氧化层，所述隔离氧化层与所述控制栅氧化层连续。

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