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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511017700.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权功率器件及其制备方法是由崔卫刚设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种功率器件及其制备方法；包括：提供包括基底、第一氧化层、多个深沟槽、至少一个耐压栅结构和至少一个栅极填充结构的半导体结构；遮蔽耐压栅结构并回刻栅极填充结构，得到屏蔽栅极；去除遮蔽层，并去除基底表面和至少部分回刻的深沟槽槽壁的第一氧化层；形成至少覆盖暴露的深沟槽槽壁、屏蔽栅极和基底表面的第二氧化层，第二氧化层与深沟槽槽壁上余留的第一氧化层连续；形成位于屏蔽栅极上方的控制栅极，得到屏蔽栅结构，控制栅极、屏蔽栅极和基底通过第一氧化层和第二氧化层隔离；至少对控制栅极进行表面氧化，形成与第二氧化层连续的第三氧化层。本申请能够简化BCD器件和SGT器件的集成工艺并避免栅极漏电。

本发明授权功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供包括基底、第一氧化层、多个深沟槽、至少一个耐压栅结构和至少一个栅极填充结构的半导体结构，所述基底包括导电类型相异的第一器件区和第二器件区，所述栅极填充结构位于所述第一器件区，所述第一氧化层位于所述基底表面并覆盖所述深沟槽槽壁，所述耐压栅结构和所述栅极填充结构分别填充所述深沟槽；所述基底表面包括垫层氧化层；所述第一氧化层的形成方式包括：对所述深沟槽槽壁进行热氧化处理，形成位于所述深沟槽槽壁的第一牺牲氧化层；去除所述第一牺牲氧化层和所述垫层氧化层，以暴露所述基底表面和所述深沟槽槽壁；基于淀积工艺或热氧化工艺，于所述基底表面和所述深沟槽槽壁形成所述第一氧化层； 遮蔽所述耐压栅结构并回刻所述栅极填充结构，得到屏蔽栅极； 去除遮蔽层，并去除所述基底表面和至少部分回刻的所述深沟槽槽壁的第一氧化层； 形成至少覆盖暴露的深沟槽槽壁、所述屏蔽栅极和所述基底表面的第二氧化层，所述第二氧化层与所述深沟槽槽壁上余留的第一氧化层连续； 形成位于所述屏蔽栅极上方的控制栅极，得到屏蔽栅结构，所述控制栅极、所述屏蔽栅极和所述基底，通过所述第一氧化层和所述第二氧化层隔离； 至少对所述控制栅极进行表面氧化，形成与所述第二氧化层连续的第三氧化层。

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