华芯程(杭州)科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利一种曲线图形的联合校正方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120539998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511033368.2，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种曲线图形的联合校正方法、装置、设备及存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种曲线图形的联合校正方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种曲线图形的联合校正方法、装置、设备及存储介质，通过接收目标晶片图案；根据所述目标晶片图案，通过预训练的光学邻近校正模型，确定对应的曲线掩膜图案；根据所述曲线掩膜图案，通过预训练的掩膜工艺校正模型，确定对应的曲线电子束曝光图案；根据所述曲线电子束曝光图案，确定对应的曼哈顿图形及数值孔径；接收多种样板曼哈顿图形；根据所述样板曼哈顿图形，通过预设的数值孔径仿真得到对应的样板曲线图形；获取所述样板曲线图形对应的掩膜扫描图案；根据所述掩膜扫描图案及所述样板曲线图形对待训练的掩膜工艺校正模型进行校准。本发明提升了曲线图形的联合校正方法的兼容性与泛用性。
本发明授权一种曲线图形的联合校正方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种曲线图形的联合校正方法，其特征在于，包括： 接收目标晶片图案； 根据所述目标晶片图案，通过预训练的光学邻近校正模型，确定对应的曲线掩膜图案； 根据所述曲线掩膜图案，通过预训练的掩膜工艺校正模型，确定对应的曲线电子束曝光图案； 所述掩膜工艺校正模型的训练方法包括： 接收多种样板曼哈顿图形； 根据所述样板曼哈顿图形，通过预设的数值孔径仿真得到对应的样板曲线图形； 获取所述样板曲线图形对应的掩膜扫描图案； 根据所述掩膜扫描图案及所述样板曲线图形对待训练的掩膜工艺校正模型进行校准。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华芯程(杭州)科技有限公司，其通讯地址为：311113 浙江省杭州市余杭区良渚街道网周路99号1幢22层2208室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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