杭州富芯半导体有限公司崔卫刚获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体结构、制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063400.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构、制备方法及半导体器件是由崔卫刚设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构、制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构、制备方法及半导体器件，包括提供初始半导体结构；初始半导体结构包括器件层、位于器件层上的第一介质层和位于第一介质层上与顶层金属层之间的至少一层第一布线层，至少一层第一布线层中顶端的第一布线层包括第一金属层、覆盖第一金属层的第二介质层和贯穿第二介质层的第一金属互联结构；在形成第一金属互联结构后，在初始半导体结构中形成深沟槽；深沟槽贯穿至少一层第一布线层和第一介质层后延伸至器件层中；填充深沟槽，形成深沟槽隔离结构。本申请将深沟槽的形成放在第一金属互联结构的形成步骤后，降低对BCD器件中器件层的不良影响，简化了BCD器件的制备工艺，降低工艺整合难度和成本。
本发明授权一种半导体结构、制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供初始半导体结构；所述初始半导体结构包括器件层、位于所述器件层上的第一介质层和位于所述第一介质层上的至少一层第一布线层，所述至少一层第一布线层位于所述第一介质层与顶层金属层之间，所述至少一层第一布线层中顶端的第一布线层包括第一金属层、覆盖所述第一金属层的第二介质层和贯穿所述第二介质层的第一金属互联结构，所述第一金属互联结构与所述第一金属层电性连接； 在形成所述第一金属互联结构后，在所述初始半导体结构中形成深沟槽；所述深沟槽贯穿所述至少一层第一布线层和所述第一介质层后延伸至所述器件层中； 填充所述深沟槽，形成深沟槽隔离结构；所述深沟槽隔离结构用于隔离相邻的器件模块。
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