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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120566232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511065858.0，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器是由张卓;张建伟;周寅利;刘天娇;陈超;宁永强;王立军设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器，包括中空导热外壳和分别位于中空导热外壳内且从上至下依次层叠的泵浦光增透膜、窗口层、增益芯片；增益芯片包括从上至下依次层叠的有源区、分布式布拉格反射器和衬底，衬底通过过渡金属层键合到中空导热外壳的底部，增益芯片的有源区包括交错分布的渐变式泵浦光吸收层和渐变式量子阱层，且各个渐变式泵浦光吸收层的厚度沿增益芯片顶部至底部的方向逐渐增加，各个渐变式量子阱层沿增益芯片顶部至底部的方向，阱层厚度逐渐增加，同时阱层组分逐渐降低。本发明解决了增益芯片的温度漂移问题，实现精准的波长控制，进而实现窄线宽、高光束质量的激光输出。

本发明授权高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种高效率、窄线宽的垂直外腔面发射半导体激光器，包括中空导热外壳和分别位于中空导热外壳内且从上至下依次层叠的泵浦光增透膜、窗口层、增益芯片；增益芯片包括从上至下依次层叠的有源区、分布式布拉格反射器和衬底，衬底通过过渡金属层键合到中空导热外壳的底部，其特征在于，有源区包括从上至下呈周期性排列的第一泵浦光吸收层、第一势垒层、第二泵浦光吸收层、第一过渡层、渐变式量子阱层、第二过渡层、第三泵浦光吸收层、第二势垒层和第四泵浦光吸收层，第一泵浦光吸收层与第二泵浦光吸收层以及第三泵浦光吸收层与第四泵浦光吸收层分别组成渐变式泵浦光吸收层；各个渐变式泵浦光吸收层的厚度沿增益芯片顶部至底部的方向逐渐增加，并且渐变式泵浦光吸收层位于增益芯片驻波分布波节位置；各个渐变式量子阱层沿增益芯片顶部至底部的方向，阱层厚度逐渐增加，同时阱层组分逐渐降低，并且渐变式量子阱层位于增益芯片驻波分布波峰位置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，其通讯地址为：130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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