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龙图腾网获悉西安龙飞电气技术有限公司申请的专利基于NMOS管的高压电子开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120567140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511053508.2，技术领域涉及：H03K17/689；该发明授权基于NMOS管的高压电子开关电路是由靳文汇;朱飞;曹琳;张欣设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于NMOS管的高压电子开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于NMOS管的高压电子开关电路，涉及电子技术领域，包括：低压侧驱动电路用于将来自外部的第一开关控制信号转换为第二开关控制信号和第三开关控制信号；高压侧基本驱动电路用于在第二开关控制信号的控制下，为低边电子开关电路中所有NMOS管的栅极提供第一驱动信号；高压侧辅助驱动电路用于在第三开关控制信号的控制下，为高压侧加速驱动电路提供第二驱动信号；高压侧加速驱动电路用于在第二驱动信号的作用下，加速低边电子开关电路中所有NMOS管的开关过程；低边电子开关电路用于在第一驱动信号的作用下，实现对负载供电的开关控制。本发明可以实现低边电子开关电路中NMOS管开关时具有更低的开关损耗。

本发明授权基于NMOS管的高压电子开关电路在权利要求书中公布了：1.一种基于NMOS管的高压电子开关电路，其特征在于，所述高压电子开关电路包括： 低边电子开关电路，由接在负载低边的一个或多个并联的NMOS管组成； 低压侧驱动电路，用于在低压电源供电下，将来自外部的第一开关控制信号转换为第二开关控制信号和第三开关控制信号； 高压侧基本驱动电路，用于在高压电源供电下，并在所述第二开关控制信号的控制下，为所述低边电子开关电路中所有NMOS管的栅极提供第一驱动信号； 高压侧辅助驱动电路，用于在高压电源供电下，并在所述第三开关控制信号的控制下，为所述高压侧加速驱动电路提供第二驱动信号； 高压侧加速驱动电路，用于在高压电源供电下，并在所述第二驱动信号的作用下，加速所述低边电子开关电路中所有NMOS管的开关过程； 低边电子开关电路，用于在所述第一驱动信号的作用下，实现对负载供电的开关控制； 其中，所述高压侧基本驱动电路和所述高压侧辅助驱动电路中分别包括一隔离光耦，以实现低压侧外部的第一开关控制信号与位于高压侧的所述低边电子开关电路中所有NMOS管的隔离； 所述高压侧加速驱动电路包括NMOS管Q2、电阻R7、电阻R8、二极管D1、二极管D2；其中，NMOS管Q2的栅极与所述高压侧辅助驱动电路连接，NMOS管Q2的源极接高压地，NMOS管Q2的漏极与电阻R7的一端、电阻R8的一端、二极管D1的阳极、二极管D2的阴极连接，电阻R7的另一端接高压地，电阻R8的另一端与高压电源的正极连接，二极管D1的阴极与二极管D2的阳极、所述高压侧基本驱动电路连接。

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