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龙图腾网获悉深圳市冠禹半导体有限公司申请的专利适用于半导体功率器件的封装质量检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120594669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510951945.X，技术领域涉及：G01N29/06；该发明授权适用于半导体功率器件的封装质量检测方法及系统是由李伟;高苗苗设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于半导体功率器件的封装质量检测方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体封装检测技术领域，具体涉及适用于半导体功率器件的封装质量检测方法及系统，该方法包括：获取半导体功率器件不同深度层的超声扫描图和每个扫描位置的回波信号；计算超声扫描图中每个封闭边缘区域的边缘、内部不规则度以及封闭边缘区域内回波信号的失真程度；结合边缘、内部不规则度，回波信号的失真程度以及该封闭边缘区域与其所在深度层的相邻深度层计算的最近距离，判定潜在缺陷区域；对每个深度层的潜在缺陷区域进行标记，用于判断半导体功率器件的封装质量。本申请旨在通过超声扫描结合深度分析，提高半导体功率器件封装质量的检测精度。

本发明授权适用于半导体功率器件的封装质量检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.适用于半导体功率器件的封装质量检测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： S1：通过超声检测模块对半导体功率器件进行C扫描，获取不同深度层的超声扫描图和每个扫描位置的回波信号； S2：针对单个深度层下的超声扫描图进行分析，提取超声扫描图中的封闭边缘区域，并计算每个封闭边缘区域的边缘不规则度、内部不规则度以及封闭边缘区域内回波信号的失真程度； S3：获取每个封闭边缘区域所在深度层与其相邻深度层中距离最近的封闭边缘区域；结合边缘不规则度、内部不规则度、回波信号的失真程度以及计算得到的封闭边缘区域与其所在深度层的相邻深度层中封闭边缘区域最近距离，判定潜在缺陷区域； S4：对每个深度层的潜在缺陷区域进行标记，用于判断半导体功率器件的封装质量； 在步骤S2中，边缘不规则度由对应封闭边缘区域的边缘上所有相邻像素点之间的梯度值的均值和标准差的正向融合结果确定； 在步骤S2中，内部不规则度由对应封闭边缘区域内的骨干线进行拟合后拟合优度的补数确定； 在步骤S2中，在计算回波信号的失真程度时，首先利用像素点的像素值筛选对应封闭边缘区域内的特征点；分析对应封闭边缘区域内所有特征点的频移、发射能量与接收能量，以确定对应封闭边缘区域的回波信号的失真程度。

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