北京航空航天大学王方方获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利高电阻率与截止频率的高熵软磁薄膜制备方法及薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120608267B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511105850.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权高电阻率与截止频率的高熵软磁薄膜制备方法及薄膜是由王方方;高明;张虎;徐惠彬设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电阻率与截止频率的高熵软磁薄膜制备方法及薄膜在说明书摘要公布了：本发明属于软磁高熵合金材料与磁控溅射技术领域，具体是涉及一种高电阻率与截止频率的高熵软磁薄膜制备方法及薄膜，包括制备高熵合金靶材和氧化锌靶材；选择高电阻率的非磁性材料作为基底；对靶材与基底进行清洗后采用高熵合金靶材和氧化锌靶材进行双靶位薄膜磁控溅射，样品台安装有多个基底，下方设置有高熵软磁合金靶材和ZnO靶材，在基底表面溅射高熵软磁及其ZnO成分梯度诱导软磁薄膜；本发明采用成分梯度溅射ZnO调控薄膜性能，进一步提高了电阻率，又在强逆磁电耦合的作用和大的应力诱导的Hk下，获得更高截止频率的高熵软磁薄膜。
本发明授权高电阻率与截止频率的高熵软磁薄膜制备方法及薄膜在权利要求书中公布了：1.高电阻率与截止频率的高熵软磁薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：制备高熵合金靶材和氧化锌靶材； 步骤2：选择高电阻率的非磁性材料作为基底； 步骤3：对靶材与基底进行清洗； 步骤4：采用高熵合金靶材和氧化锌靶材进行双靶位薄膜磁控溅射，多个基底安装于样品台上，样品台下方设置有高熵合金靶材和氧化锌靶材，每个靶材采用独立的靶枪，在基底表面溅射高熵合金及氧化锌成分梯度诱导软磁薄膜；磁控溅射过程氧化锌靶材的溅射功率阶梯式变化。
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