北京航空航天大学王方方获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种柔性耐高温磁屏蔽薄膜制备方法及薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120608268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511105948.8，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种柔性耐高温磁屏蔽薄膜制备方法及薄膜是由王方方;高明;张虎;徐惠彬设计研发完成，并于2025-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性耐高温磁屏蔽薄膜制备方法及薄膜在说明书摘要公布了：本发明属于低噪声磁屏蔽技术领域，具体涉及一种柔性耐高温磁屏蔽薄膜制备方法及薄膜，包括：在载玻片一侧贴上PI双面胶带并贴一层PTFEPDMS薄膜，作为银纳米束网喷涂的基底；配置银纳米线溶并采用喷枪喷涂在PTFEPDMS薄膜上得到银纳米束网；将银纳米束网旋涂、固化、转移得到固化银纳米束网的柔性基底；在柔性基底上磁控溅射FeCoNiZr0.4中熵合金薄膜，获得柔性耐高温磁屏蔽薄膜，本发明利用银纳米束网具有电磁屏蔽性能的特点，在其两侧溅射软磁薄膜，进一步改善传统单层屏蔽薄膜的屏蔽效能，得到的薄膜轻量化且满足磁屏蔽薄膜的柔性化应用需求，应用空间复杂多变：柔性屏蔽薄膜重量轻，柔韧性好，屏蔽性能优异。
本发明授权一种柔性耐高温磁屏蔽薄膜制备方法及薄膜在权利要求书中公布了：1.一种柔性耐高温磁屏蔽薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1选择载玻片，在一侧贴上PI双面胶带和PTFEPDMS薄膜，作为基底； 2配置纳米银线溶液； 3在PTFEPDMS薄膜上喷涂纳米银线溶液得到银纳米束网； 4对银纳米束网进行旋涂、固化，得到固化银纳米束网的柔性基底； 5在柔性基底两面磁控溅射第一FeCoNiZr中熵合金薄膜和第二FeCoNiZr中熵合金薄膜，获得柔性耐高温磁屏蔽薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学，其通讯地址为：100191 北京市海淀区学院路37号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励