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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种电池的抗衰减膜层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120614910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120312.0，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种电池的抗衰减膜层及其制备方法是由郭世成;张明明;付少剑;葛宏豪;王方圆;金淑雅;潘丹丹;丁田力设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电池的抗衰减膜层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池抗衰技术领域，提供了一种电池的抗衰减膜层及其制备方法，抗衰减膜层包括在晶硅的上表面从上至下依次设置的至少一层氧化硅层、至少两层氮氧化硅、至少三层氮化硅层、结构层一、至少两层氧化铝层和掺杂层，所述结构层一的折射率为1.8~2.1，最底层氮化硅的折射率为2.4~3.0。通过对最底层氧化铝层进行暗退火，降低氧化铝中的氢含量和氮化硅三膜层间的氢含量；氮化硅层三的高折射率增使短波紫外光在该膜层中的寄生吸收收占比增加，减少紫外光的入射量。本发明通过降低氢向硅片体内传导速率、依次降低界面处游离的氢浓度含量、以及减少紫外光的穿透等角度进行改善，实现电池片的抗紫外衰减。

本发明授权一种电池的抗衰减膜层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电池的抗衰减膜层，包括在晶硅的上表面从上至下依次设置的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层和掺杂层，其特征在于：所述氧化硅层至少为一层，所述氮氧化硅层至少为两层，从上至下分别为氮氧化硅层一和氮氧化硅层二，所述氮化硅层至少为三层，从上至下分别为氮化硅层一、氮化硅层二和氮化硅层三； 所述氮氧化硅层一和氮氧化硅层二的折射率依次递增，所述氮化硅层一、氮化硅层二和氮化硅层三的折射率依次递增； 还包括在氮化硅层和氧化铝层之间设置的结构层一，所述结构层一为氮化硅或氮氧化硅，所述结构层一用于降低界面处的H含量，所述结构层一的折射率为1.8~2.1，所述结构层一的厚度为0.5nm~4nm，与所述结构层一相邻的氮化硅层的折射率为2.4~3.0； 所述氧化铝层至少为两层，分别为上氧化铝层和下氧化铝层，所述下氧化铝层的厚度为1.0nm~3nm，所述上氧化铝层的厚度为3nm~6nm，所述下氧化铝层沉积后，在500℃~700℃无氧退火，退火时间10min~30min； 所述氧化铝层大于两层时，所有氧化铝层的厚度总和为4nm~9nm，最底层的氧化铝层沉积后，在500℃~700℃无氧退火，退火时间10min~30min。

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