深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120638039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511128348.3,技术领域涉及:H01S5/042;该发明授权激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备是由周少丰;丁亮;吕天健;方子勋;罗军波设计研发完成,并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备在说明书摘要公布了:本申请提供一种激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备,涉及芯片技术领域,该激光芯片包括:多层外延结构、阳极电极、阴极电极和第三电极;阳极电极和阴极电极设置于多层外延结构的上表面和下表面;第三电极也设置于上表面,并与阳极电极间隔设置,且第三电极靠近阳极电极的端面为弧形面;上表面的边缘设置有台阶面,台阶面填充有电流非注入层;第三电极覆盖于电流非注入层之上,且自电流非注入层延伸至上表面。在腔面侧设置电流非注入层的同时配合第三电极,并加宽第三电极,扩大第三电极的覆盖范围,有效抑制载流子向出光面聚集,避免腔面热量累积;还将第三电极靠近阳极电极的端面设计为弧形面,避免尖端效应,进一步减少热量累积。
本发明授权激光芯片、激光芯片的制备方法及通信设备在权利要求书中公布了:1.一种激光芯片,其特征在于,包括: 多层外延结构;以及, 阳极电极和阴极电极,所述阳极电极和所述阴极电极分别设置于所述多层外延结构的沿第一方向相对的上表面和下表面; 第三电极,所述第三电极设置于所述上表面,并与所述阳极电极沿第二方向间隔,所述第三电极靠近所述阳极电极的端面为弧形面; 所述上表面与所述多层外延结构的第一侧表面相交,所述上表面和所述第一侧表面的相交处设置有凹坑,以在所述上表面形成台阶面,所述台阶面填充有电流非注入层; 所述第三电极覆盖于所述电流非注入层之上,且所述第三电极沿第三方向的两端自所述电流非注入层延伸至所述上表面; 其中,所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相垂直。
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