中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司陈翼获国家专利权
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龙图腾网获悉中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利晶体生长设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223422814U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422841949.6，技术领域涉及：C30B15/00；该实用新型晶体生长设备是由陈翼设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体生长设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种晶体生长设备，晶体生长设备包括炉体、坩埚、侧加热器、隔热结构、第一驱动机构和第二驱动机构，坩埚可升降地设于炉室内且用于盛放熔汤，侧加热器设于炉室内且环绕坩埚的外周侧设置，隔热结构可升降地设于炉室内，隔热结构间隔设于坩埚和侧加热器之间且环绕坩埚设置，第一驱动机构与坩埚相连以驱动坩埚相对炉体升降，第二驱动机构与隔热结构相连以驱动隔热结构相对坩埚和炉体升降。由此，晶体生长设备可以减小硅单晶在固液界面位置处的中心温度梯度Gc和边缘温度梯度Gs的差异，提升整根晶棒的COP‑free区域所占的比例。
本实用新型晶体生长设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长设备，其特征在于，包括： 炉体，所述炉体内具有炉室； 坩埚，所述坩埚可升降地设于所述炉室内且用于盛放熔汤； 侧加热器，所述侧加热器设于所述炉室内且环绕所述坩埚的外周侧设置； 隔热结构，所述隔热结构可升降地设于所述炉室内，所述隔热结构间隔设于所述坩埚和所述侧加热器之间且环绕所述坩埚设置； 第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述坩埚相连以驱动所述坩埚相对炉体升降； 第二驱动机构，所述第二驱动机构与所述隔热结构相连以驱动所述隔热结构相对所述坩埚和所述炉体升降。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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