大立光电股份有限公司蔡温祐获国家专利权
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龙图腾网获悉大立光电股份有限公司申请的专利成像镜头模块、相机模块及电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223426913U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422796143.X，技术领域涉及：G02B7/00；该实用新型成像镜头模块、相机模块及电子装置是由蔡温祐;张临安;周明达;张建邦;朱国强设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像镜头模块、相机模块及电子装置在说明书摘要公布了：一种成像镜头模块、相机模块及电子装置。成像镜头模块具有一光轴，包含一光学元件、一组装元件以及一低反射薄膜，其中光轴通过光学元件，且组装元件用以与光学元件组装配置。低反射薄膜设置于组装元件的部分表面，其包含一纳米结构层及一纳米结构匹配层。纳米结构层包含多个脊状凸起，其中脊状凸起以无规则的形式排列。纳米结构匹配层设置于组装元件与纳米结构层之间，其包含至少二层光疏介质层及至少一层光密介质层。至少一层光密介质层堆叠设置于至少二层光疏介质层之间。借此，可提升环境耐受度及减少杂散光。
本实用新型成像镜头模块、相机模块及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种成像镜头模块，其特征在于，具有一光轴，包含： 一光学元件，该光轴通过该光学元件； 一组装元件，用以与该光学元件组装配置；以及 一低反射薄膜，设置于该组装元件的部分表面，包含： 一纳米结构层，包含多个脊状凸起，其中所述多个脊状凸起以无规则的形式排列；及 一纳米结构匹配层，设置于该组装元件与该纳米结构层之间，包含： 至少二层光疏介质层；及 至少一层光密介质层，堆叠设置于该至少二层光疏介质层之间；其中，该至少二层光疏介质层的厚度分别大于40nm且小于100nm，该至少一层光密介质层的厚度大于1nm且小于33nm，且所述多个脊状凸起的高度分别大于80nm且小于300nm。
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