欣旺达电子股份有限公司隗辉获国家专利权
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龙图腾网获悉欣旺达电子股份有限公司申请的专利熔断器封装结构、熔断器及电池保护板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223427444U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422717853.9，技术领域涉及：H01H85/04；该实用新型熔断器封装结构、熔断器及电池保护板是由隗辉;李星;武家超;刘仕臻;黄龙彬设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本熔断器封装结构、熔断器及电池保护板在说明书摘要公布了：本申请涉及熔断器技术领域，尤其是涉及一种熔断器封装结构、熔断器及电池保护板。熔断器封装结构包括封装主体，对于基板以及设于基板上的熔体，封装主体用于在基板上对熔体进行覆盖，封装主体朝向基板的一侧表面为封装主体的下表面，封装主体的下表面中与熔体相对的至少部分区域与熔体不接触，使得封装主体的下表面与熔体之间形成空腔，从而能够利用该空腔对熔体熔断时产生的气体进行收容，使熔断器的基板上可以不设置排气用的泄气孔，以降低熔断器的制作难度；同时，也能够有效避免水汽进入到熔断器的内部而导致熔断器失效。
本实用新型熔断器封装结构、熔断器及电池保护板在权利要求书中公布了：1.一种熔断器封装结构，其特征在于，包括封装主体； 所述封装主体用于在熔断器的基板上对所述熔断器的熔体进行覆盖； 所述封装主体朝向所述基板的一侧表面为所述封装主体的下表面，所述封装主体的下表面与所述熔体相对的至少部分区域与所述熔体不接触，以在所述封装主体与所述熔体之间形成空腔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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