林金锋获国家专利权
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龙图腾网获悉林金锋申请的专利功率半导体模块的封装改良结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223427489U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422692872.0，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型功率半导体模块的封装改良结构是由林金锋设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体模块的封装改良结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种功率半导体模块的封装改良，结构包括散热基座、至少一电路基板、至少一铜螺母端子、胶壳侧墙与绝缘胶。电路基板包括至少一种芯片，其组成为一功率半导体模块。铜螺母端子设置于该散热基座上或该电路基板上，该铜螺母端子用以作为外部电流与该功率半导体模块内部电流的桥梁，其中芯片通过多条导线电性连接至铜螺母端子。该胶壳侧墙的内部形成一填补空间。绝缘胶注入于该填补空间以覆盖住该电路基板，其中该铜螺母端子用以作为导通电流的功能。本实用新型的功率半导体模块的封装改良结构能够大幅降低电磁辐射且更适合大电流的应用领域。
本实用新型功率半导体模块的封装改良结构在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块的封装改良结构，其特征在于，包括： 一散热基座； 至少一电路基板，其设置于该散热基座上，该电路基板包括至少一种芯片，其组成为一功率半导体模块； 至少一铜螺母端子，其设置于该散热基座上或该电路基板上，该铜螺母端子用以作为外部电流与该功率半导体模块内部电流的桥梁，其中该芯片通过多条导线电性连接至该铜螺母端子； 一胶壳侧墙，其设置环绕于该散热基座上，该胶壳侧墙的内部形成一填补空间，其中该胶壳侧墙的高度低于该铜螺母端子的高度；以及 一绝缘胶，其注入于该填补空间以覆盖住该电路基板，并且该绝缘胶的注入高度不超过于该铜螺母端子的高度， 其中该铜螺母端子用以作为导通电流的功能。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人林金锋，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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