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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利三维扇出型封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223427490U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422841335.8，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型三维扇出型封装结构是由陈彦亨;林正忠;陈杰设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维扇出型封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种三维扇出型封装结构，通过设置第一金属柱和第二金属柱结构且其高度可调整，控制支撑基板与第一芯片之间的距离，从而能够使得封装结构塑封过程中，塑封材料能够流入间隙，最终填满第一芯片、第二芯片、第一金属柱、支撑结构及被动组件，形成一次塑封层结构，不仅简化了工序，也避免了不同塑封层热膨胀系数不匹配而分层的问题；另外，由于所述支撑基板与所述第一重新布线层距离可调，因此在改善芯片的散热效果同时可允许增加所述第一芯片的数量。再者，通过采用单颗布线基板结构代替传统的第二重新布线层，简化了工艺步骤，避免了高温烘烤引发凸块焊点发生损坏的问题，降低了工艺制造成本，保证了芯片的稳定性能。

本实用新型三维扇出型封装结构在权利要求书中公布了：1.一种三维扇出型封装结构，其特征在于，所述三维扇出型封装结构包括： 第一重新布线层，所述第一重新布线层包括相对设置的第一面及第二面； 第一芯片，所述第一芯片位于所述第一重新布线层的第二面上，且与所述第一重新布线层电连接； 第一金属柱，所述第一金属柱位于所述第一重新布线层的第二面上，且所述第一金属柱与所述第一重新布线层电连接，所述第一金属柱与所述第一芯片位于同一平面； 支撑结构，所述支撑结构位于所述第一金属柱的上方，与所述第一金属柱电连接，所述支撑结构包括第二金属柱和支撑基板，所述支撑基板具有与所述第二金属柱相连的第一面和相对的第二面，且所述支撑基板的第一面与所述第一芯片之间设有间隙； 第二芯片，所述第二芯片倒装键合于所述支撑基板的第二面上，且与所述支撑基板电连接； 被动组件，所述被动组件贴装于所述支撑基板的第二面上，且与所述支撑基板电连接； 塑封层，所述塑封层位于所述第一重新布线层的第二面，且包覆所述第一芯片、所述第二芯片、所述被动组件、所述第一金属柱、所述支撑结构及所述间隙； 金属凸块，所述金属凸块位于所述第一重新布线层的第一面，且与所述第一重新布线层电连接。

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