台湾积体电路制造股份有限公司辛柏寰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体晶粒获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223427497U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422057747.2，技术领域涉及：H01L23/488；该实用新型半导体晶粒是由辛柏寰;邱盈翰;张仕承设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶粒在说明书摘要公布了：提供了半导体晶粒包括：密集区域和隔离区域，在密集区域中和在隔离区域中具有多个凸块下金属UBM焊垫、以及与这些凸块下金属焊垫接触的多个外部电性连接器。这些外部电性连接器具有一预选的垂直高度。
本实用新型半导体晶粒在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶粒，其特征在于，包含： 一密集区域，包括多个第一凸块下金属焊垫，其中该密集区域具有每单位面积的多个第一凸块下金属焊垫的一第一比率； 多个第一外部电性连接器，与所述多个第一凸块下金属焊垫接触，其中每个第一外部电性连接器具有一第一垂直高度； 一隔离区域，包括多个第二凸块下金属焊垫，其中该隔离区域具有每单位面积的多个第二凸块下金属焊垫的一第二比率，其中该第一比率大于该第二比率；以及 多个第二外部电性连接器，与所述多个第二凸块下金属焊垫接触，其中每个第二外部电性连接器具有一第二垂直高度； 其中该半导体晶粒配置为该第一垂直高度等于该第二垂直高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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