台湾积体电路制造股份有限公司王屏薇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223428805U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422047610.9，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体结构是由王屏薇;陈瑞麟设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括第一源极漏极SD外延部件、与第一SD外延部件相邻的第二SD外延部件、位于第一和第二SD外延部件之间的绝缘结构、以及在第一和第二SD外延部件的顶表面上的共享SD接触件contact。共用SD接触件的中央部位直接位于第一SD外延部件的侧面和第二SD外延部件的侧面之间。所述中央部位位于绝缘结构的正上方。半导体结构还包括一背面通孔，穿过所述绝缘结构以直接落在所述中央部位的底面。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一源极漏极外延部件； 第二源极漏极外延部件，与所述第一源极漏极外延部件相邻； 绝缘结构，位于所述第一与第二源极漏极外延部件之间； 共享源极漏极接触件，位于所述第一和第二源极漏极外延部件的顶表面上方，其中所述共享源极漏极接触件的中央部位直接位在所述第一源极漏极外延部件的侧表面和所述第二源极漏极外延部件的侧表面之间，其中所述中央部位位于所述绝缘结构的正上方；以及 背面通孔，穿过所述绝缘结构而直接落在所述中央部位的底表面上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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