台湾积体电路制造股份有限公司李振铭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电子元件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223428809U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422542777.2,技术领域涉及:H10D84/80;该实用新型电子元件是由李振铭;苏子昂;李明轩;吴以雯设计研发完成,并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子元件在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种电子元件,其具有下结构或特征。二极管形成在主动区。二极管包括嵌入于主动区域的第一部分的P型组成,嵌入于主动区域的第二部分的N型组成,以及位于P型组成和N型组成之间的未掺杂组成。互连结构形成在二极管的第一侧上。互连结构的不同部分分别与P型组成和N型组成电耦合。一个或多个开口被蚀刻于在二极管相对于第一侧的第二侧上配置的介电结构中。掺杂材料通过一个或多个开口被植入主动区域。一个或多个开口被填充入导电材料。本揭露的方式可以减少与带正电的等离子体相关的有害影响,并可以改善元件性能。其他优点可能包括与现有工艺的兼容性以及实施的简便性和低成本。
本实用新型电子元件在权利要求书中公布了:1.一种电子元件,其特征在于,包括: 二极管,其包括P型区域、N型区域、以及位于所述P型区域与所述N型区域之间的未掺杂本质区域; 位于所述二极管的第一侧上的互连结构; 位于所述二极管的第二侧上的多个导电贯孔,所述第二侧与所述第一侧不同;以及 设置在所述二极管和所述导电贯孔之间的一个或多个掺杂区域。
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