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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种提高聚焦的发光器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223428831U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422852942.4，技术领域涉及：H10H20/84；该实用新型一种提高聚焦的发光器件结构是由蔡琳榕;唐如梦;吴东东;刘诗雨设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高聚焦的发光器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种提高聚焦的发光器件结构，包括由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的第三导电层，与第三导电层电连接的导电基板，覆盖于电极部分表面且部分暴露于发光器件外部的第三绝缘层；覆盖于第三绝缘层绝大部分表面的吸光层，其中吸光层位于非必需发光区域，吸光层吸收非必需发光区域发出来的杂光。本实用新型吸光层吸收杂光，减少杂光产生，使得发光区域光源更集中聚焦，从而提高器件发光效率。

本实用新型一种提高聚焦的发光器件结构在权利要求书中公布了：1.一种提高聚焦的发光器件结构，包括由第一半导体层1、第二半导体层2和有源层3组成的发光器件；有源层3位于第一半导体层1、第二半导体层2之间；其特征在于， 与第二半导体层2形成欧姆接触的第一导电层4，与第一导电层4形成电连接的反射层5，与反射层5形成电连接的第二导电层8，与第二导电层8形成电连接的第三导电层9，与第三导电层9电连接的导电基板10，第一导电层4、反射层5、第二导电层8、第三导电层9、导电基板10共同组成第一电连接层； 覆盖于第二半导体层2表面且部分暴露于第二半导体层2两侧的第一绝缘层7，覆盖于第一半导体层1表面和侧壁的第二绝缘层6； 大部分接触于第二绝缘层6表面并且与第一半导体层1形成电连接的电极11，所述电极11为第二电连接层； 覆盖于电极11部分表面且部分暴露于发光器件外部的第三绝缘层12； 覆盖于第三绝缘层12绝大部分表面的吸光层13，其中吸光层13位于非必需发光区域，吸光层13吸收非必需发光区域发出来的杂光。

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