中微半导体设备(上海)股份有限公司赵馗获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种直流偏压控制方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582692B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011298561.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种直流偏压控制方法及等离子体处理装置是由赵馗;关晓龙;倪图强设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直流偏压控制方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种直流偏压控制方法，包含：探测晶圆表面的直流偏置电压信号；同步偏置射频功率源的输出时钟信号，根据所述输出时钟信号判断偏置射频功率源的输出方式，并根据所述输出时钟信号、输出方式对探测的直流偏置电压信号进行采样、去噪后计算反馈值；根据所述反馈值调整偏置射频功率源的输出功率。本发明还提供一种等离子体处理装置。本发明能够适用于连续波和脉冲波输出方式的偏置射频功率源。
本发明授权一种直流偏压控制方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种直流偏压控制方法，将偏置射频功率源通过匹配网络加载到基座上，使得基座上承载的待加工晶圆表面产生直流偏置电压，其特征在于，包含：探测晶圆表面的直流偏置电压信号； 同步偏置射频功率源的输出时钟信号，根据所述输出时钟信号判断偏置射频功率源的输出方式，并根据所述输出时钟信号、输出方式对探测的直流偏置电压信号进行处理后计算反馈值；所述处理包括：根据所述输出时钟信号控制对所述直流偏置电压信号进行采样，并对采样得到的所述直流偏置电压信号去噪；所述去噪包括去除上升沿和下降沿的采样信号； 根据所述反馈值调整偏置射频功率源的输出功率。
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