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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110450072.6，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法是由赵凯迪;朱振;王朝旺设计研发完成，并于2021-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法。本发明激光器外延片,由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下限制层、波导层1、Iny1Ga1‑y1As过渡层、GaAs过渡层1、Iny2Ga1‑y2As过渡层、GaAs过渡层2、Iny3Ga1‑y3As量子阱、GaAs过渡层3、Iny4Ga1‑y4As过渡层、GaAs过渡层4、Iny5Ga1‑y5As过渡层、波导层2、上限制层、表层。本发明激光器外延片结构以及生长方法能够为量子阱生长提供一个良好的界面，降低了量子阱材料中杂质含量，形成了稳定的二维生长，同时充分释放了量子阱应力，实现高质量InGaAs高应变量子阱外延材料的生长，进而实现了激光器的高功率，高效率，高可靠性输出。

本发明授权一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片,由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下限制层、第一波导层、Iny1Ga1-y1As过渡层、第一GaAs过渡层、Iny2Ga1-y2As过渡层、第二GaAs过渡层、Iny3Ga1-y3As量子阱、第三GaAs过渡层、Iny4Ga1-y4As过渡层、第四GaAs过渡层、Iny5Ga1-y5As过渡层、第二波导层、上限制层、表层； 所述Iny1Ga1-y1As过渡层的厚度为5-10nm，0.02≤y1≤0.05；所述第一GaAs过渡层的厚度为40-60nm；所述Iny2Ga1-y2As过渡层的厚度为5-10nm，0.08≤y2≤0.12；所述第二GaAs过渡层的厚度为40-60nm；所述第三GaAs过渡层的厚度为10-20nm；所述Iny4Ga1-y4As过渡层的厚度为5-10nm，0.08≤y4≤0.12；所述第四GaAs过渡层的厚度为40-60nm；所述Iny5Ga1-y5As过渡层的厚度为5-10nm，0.02≤y5≤0.054。

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