中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115633535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211081304.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法是由邢国忠;林淮;刘明设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法，该自旋电子器件，包括：预设厚度的磁畴器件，磁畴器件能够在反对称交换耦合作用以及偶极相互作用的调制下，形成迷宫状磁畴结构，迷宫状磁畴结构包括多个磁畴方向随机的磁畴区域，相邻的两个磁畴区域的交界为磁畴壁；至少一个周期的异质薄膜，设置在磁畴器件的第一表面；至少四个电极，设置在磁畴器件的第二表面，且四个电极分别与不同的磁畴区域连接。
本发明授权自旋电子器件、阵列电路及递归神经网络的优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于磁畴壁的自旋电子器件，包括： 磁畴器件，所述磁畴器件能够在反对称交换耦合作用以及偶极相互作用的调制下，形成迷宫状磁畴结构，所述迷宫状磁畴结构包括多个位置随机的磁畴区域，相邻的两个所述磁畴区域的交界为所述磁畴壁； 至少一个周期的异质薄膜，设置在所述磁畴器件的第一表面； 至少四个电极，设置在所述磁畴器件的第二表面，且四个所述电极分别与不同的所述磁畴区域连接； 其中，所述磁畴器件包括重金属材料层和预设厚度的磁性材料层，所述磁性材料层和重金属材料层构成的异质结构产生反对称交换作用以及偶极相互作用，以在垂直各向异性和面内各向异性的过渡区域中，产生迷宫状磁畴结构。
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