中国科学院过程工程研究所石艳春获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院过程工程研究所申请的专利一种从有机硅高沸物全组分制备甲基氯硅烷单体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115677751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110875001.0，技术领域涉及：C07F7/12；该发明授权一种从有机硅高沸物全组分制备甲基氯硅烷单体的方法是由石艳春;曹宏斌;谢勇冰;王磊设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种从有机硅高沸物全组分制备甲基氯硅烷单体的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种从有机硅高沸物全组分制备甲基氯硅烷单体的方法，所述方法包括：生产有机硅单体二甲基二氯硅烷的副产高沸物全组分在催化剂作用下，进行裂解歧化反应，制备甲基氯硅烷单体；所述催化剂为ZSM‑5分子筛后处理封装非贵金属纳米颗粒所形成的多级孔结构的非贵金属@ZSM‑5双功能封装催化剂；所述方法裂解歧化解决了有机硅单体生产过程中高沸物大量过剩问题，实现其资源化和高值化利用，且反应易控制，工艺简捷，条件温和。
本发明授权一种从有机硅高沸物全组分制备甲基氯硅烷单体的方法在权利要求书中公布了：1.一种从有机硅高沸物全组分制备甲基氯硅烷单体的方法，其特征在于，所述方法包括： 生产有机硅单体二甲基二氯硅烷的副产高沸物全组分在催化剂作用下，进行裂解歧化反应，制备甲基氯硅烷单体； 所述催化剂为ZSM-5分子筛后处理封装非贵金属纳米颗粒所形成的多级孔结构的非贵金属@ZSM-5双功能封装催化剂； 所述多级孔结构的非贵金属@ZSM-5双功能封装催化剂采用后处理封装方法得到，所述后处理的封装方法包括：在ZSM-5分子筛后处理改性过程中，添加非贵金属前驱体； 所述多级孔结构的非贵金属@ZSM-5双功能封装催化剂中非贵金属纳米颗粒的粒径为1~10nm； 所述多级孔结构的非贵金属@ZSM-5双功能封装催化剂中非贵金属纳米颗粒的含量为0.1~5wt%； 所述多级孔结构的非贵金属@ZSM-5双功能封装催化剂中硅铝比SiO2Al2O3=100:1~500:1； 所述裂解歧化反应的温度为200~350℃； 所述裂解歧化反应的压力为2.0~5.0MPa； 所述多级孔结构的非贵金属@ZSM-5双功能封装催化剂中非贵金属纳米颗粒选自Ni、Mo、Fe、Co、Zn或Cu中的任意一种或至少两种的组合。
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