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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方卓印科技有限公司申请的专利显示基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115776830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211505211.1，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示基板及显示装置是由吴仲远;李永谦;袁粲;袁志东;张大成;刘烺设计研发完成，并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及显示装置在说明书摘要公布了：一种显示基板和显示装置。该显示基板包括衬底基板及位于该衬底基板上的多个子像素，该多个子像素沿第一方向和第二方向布置为子像素阵列；至少一个子像素包括存储电容；该存储电容包括第一电容电极、第二电容电极和第三电容电极；该第二电容电极、第一电容电极和第三电容电极依次位于该阵列基板上；该第一电容电极具有在该第二方向上彼此相对的第一电容电极侧边和第二电容电极侧边，该第二电容电极具有在该第二方向上彼此相对的第三电容电极侧边和第四电容电极侧边；该第一电容电极侧边和第二电容电极侧边在该衬底基板上的正投影位于该第三电容电极侧边和该第四电容电极侧边在该衬底基板上的正投影之间。该显示基板可以有效提高显示效果。

本发明授权显示基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，包括：衬底基板及位于所述衬底基板上的多个子像素， 其中，所述多个子像素沿第一方向和第二方向布置为子像素阵列，所述第一方向与所述第二方向交叉， 至少一个所述子像素包括在所述衬底基板上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和存储电容， 所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极； 所述第二晶体管的第一极与所述存储电容的第一电容电极和所述第一晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的第二极配置为接收数据信号，所述第二晶体管的栅极配置为接收第一控制信号，所述第二晶体管配置为响应于所述第一控制信号将所述数据信号写入所述第一晶体管的栅极和所述存储电容， 所述第一晶体管的第一极与所述存储电容的第二电容电极电连接，并配置为与发光元件电连接，所述第一晶体管的第二极配置为接收第一电源电压，所述第一晶体管配置为在所述第一晶体管的栅极的电压的控制下控制用于驱动所述发光元件的电流， 所述第三晶体管的第一极与所述第一晶体管的第一极及所述存储电容的第二电容电极电连接，所述第三晶体管的第二极配置为与检测电路连接，所述第三晶体管的栅极配置为接收第二控制信号，所述第三晶体管配置为响应于所述第二控制信号通过所述检测电路检测所属的子像素的电特性； 所述第二电容电极位于所述第一电容电极靠近所述衬底基板的一侧，且所述第一电容电极与第二电容电极在垂直于所述衬底基板的方向至少部分重叠； 所述第一电容电极具有在所述第二方向上彼此相对的第一电容电极侧边和第二电容电极侧边，所述第二电容电极具有在所述第二方向上彼此相对的第三电容电极侧边和第四电容电极侧边； 所述第一电容电极侧边和第二电容电极侧边在所述衬底基板上的正投影位于所述第三电容电极侧边在所述衬底基板上的正投影和所述第四电容电极侧边在所述衬底基板上的正投影之间； 所述第一电容电极与所述第一晶体管的有源层、所述第二晶体管的有源层及所述第三晶体管的有源层同层设置。

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