长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115811880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111069551.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由卢经文设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：在基底上形成间隔排布的第一掩膜图案层；在第一掩膜图案层内沉积第一介质层；刻蚀第一介质层形成第一沟槽，第一沟槽暴露基底以及第一掩膜图案层的部分侧壁；沿第一沟槽刻蚀基底至第一深度，暴露出第一掩膜图案层下方的基底；对第一掩膜图案层下方的基底进行刻蚀处理，以在基底中形成空隙。通过在半导体底部形成空隙，缓解半导体结构的锤击效应。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括： 在基底上形成间隔排布的第一掩膜图案层； 在所述第一掩膜图案层之间沉积第一介质层； 刻蚀所述第一介质层形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述基底以及所述第一掩膜图案层的部分侧壁； 沿所述第一沟槽刻蚀所述基底至第一深度，暴露出所述第一掩膜图案层下方的所述基底； 对所述第一掩膜图案层下方的所述基底进行刻蚀处理，以在所述基底中形成空隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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