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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210077720.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置是由神谷优太;松尾和展;高桥恒太;户田将也;石丸友纪设计研发完成，并于2022-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明实施方式提供具备泄漏电流小的电容器绝缘膜的半导体存储装置。本发明实施方式的半导体存储装置具备：第一导电层与第二导电层之间的第一氧化物半导体层；将第一氧化物半导体层包围的第一栅极电极；第一电极，其与第二导电层电连接，包含Ti；第二电极，其将第一电极包围，包含Ti；第一电极与第二电极之间的第一电容器绝缘膜；与第一导电层电连接的第三导电层；第三导电层与第四导电层之间的第二氧化物半导体层；将第二氧化物半导体层包围的第二栅极电极；第三电极，其与第四导电层电连接，包含钛Ti；第四电极，其将第三电极包围，包含Ti；以及第三电极与第四电极之间的第二电容器绝缘膜。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其具备： 第一导电层； 第二导电层； 第一氧化物半导体层，其设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间； 第一栅极电极，其将所述第一氧化物半导体层包围； 第一栅极绝缘膜，其设置于所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极电极之间； 第一电极，其相对于所述第二导电层，沿从所述第一导电层朝向所述第二导电层的第一方向设置，与所述第二导电层电连接，包含钛Ti； 第二电极，其将所述第一电极包围，包含钛Ti； 第一电容器绝缘膜，其设置于所述第一电极与所述第二电极之间，包含第一区域、和所述第一区域与所述第二电极之间的第二区域，所述第二区域的钛Ti的原子浓度比所述第一区域的钛Ti的原子浓度高； 第三导电层，其与所述第一导电层电连接； 第四导电层，其相对于所述第三导电层沿所述第一方向设置； 第二氧化物半导体层，其设置于所述第三导电层与所述第四导电层之间； 第二栅极电极，其将所述第二氧化物半导体层包围； 第二栅极绝缘膜，其设置于所述第二氧化物半导体层与所述第二栅极电极之间； 第三电极，其相对于所述第四导电层沿所述第一方向设置，与所述第四导电层电连接，包含钛Ti； 第四电极，其将所述第三电极包围，包含钛Ti；以及 第二电容器绝缘膜，其设置于所述第三电极与所述第四电极之间，包含第三区域、和所述第三区域与所述第四电极之间的第四区域，所述第四区域的钛Ti的原子浓度比所述第三区域的钛Ti的原子浓度高。

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