长鑫存储技术有限公司李先东获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器的控制方法、控制电路和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119207511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310744455.3，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权存储器的控制方法、控制电路和存储器是由李先东;杨名;梁翔宇;朱陈宇;苏信政设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的控制方法、控制电路和存储器在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储器的控制方法、控制电路和存储器，存储器包括存储单元，存储单元与位线连接，控制方法包括：获取存储器的工作温度，根据存储器的工作温度调节存储器内存储单元的电压。其中，存储单元的电压包括在存储单元存储第一数据时电容上极板的电压、存储单元中晶体管开启之前位线上的电压以及晶体管的栅极开启电压中一个或多个，存储单元存储第一数据时电容上极板电压大于电容下极板电压。
本发明授权存储器的控制方法、控制电路和存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器的控制方法，其特征在于，所述存储器包括存储单元，所述存储单元与位线连接，所述方法包括： 获取所述存储器的工作温度； 设置第一温度阈值和第二温度阈值，确定存储器的高温范围、常温范围以及低温范围，其中，所述第二温度阈值大于第一温度阈值； 根据所述存储器的工作温度所处的范围调节所述存储器内存储单元的电压； 其中，所述存储单元的电压包括在所述存储单元存储第一数据时电容上极板的电压、所述存储单元中晶体管开启之前所述位线上的电压以及所述晶体管的栅极开启电压中一个或多个，所述存储单元存储所述第一数据时所述电容上极板电压大于电容下极板电压；所述栅极开启电压为所述晶体管开启之前预设的用来开启晶体管的启用信号的电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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