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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411341540.6，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法是由苏鹏;孙鹏;张文强设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法。该结构包括：第一硅晶圆；栅极驱动层；第一重布线层；第一键合保护层；第二硅晶圆；功率晶体管层；第二重布线层；第二键合保护层；第一微流道；第二微流道；所述第一微流道和所述第二微流道互连，通过微流道入口和微流道出口实现冷却液的流入和流出；第一硅通孔；第二硅通孔；所述栅极驱动层和所述功率晶体管层通过所述第一硅通孔和所述第二硅通孔实现电连接。本发明提供的集成微流道的三维垂直供电结构，通过硅通孔对栅极驱动层和功率晶体管层进行垂直互连并供电，可以显著提升电源效率，在供电结构内集成微流道，可以对供电结构进行快速散热。

本发明授权一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成微流道的三维垂直供电结构，其特征在于，包括： 第一硅晶圆； 栅极驱动层，所述栅极驱动层布置在所述第一硅晶圆的第一表面； 第一重布线层，所述第一重布线层布置在所述栅极驱动层的第一表面； 第一键合保护层，所述第一键合保护层布置在所述第一硅晶圆的第二表面； 第二硅晶圆； 功率晶体管层，所述功率晶体管层布置在所述第二硅晶圆的第一表面； 第二重布线层，所述第二重布线层布置在所述功率晶体管层的第一表面； 第二键合保护层，所述第二键合保护层布置在所述第二硅晶圆的第二表面； 第一微流道，所述第一微流道布置在所述第一硅晶圆中； 第二微流道，所述第二微流道布置在所述第二硅晶圆中； 所述第一微流道和所述第二微流道互连，通过微流道入口和微流道出口实现冷却液的流入和流出； 第一硅通孔，所述第一硅通孔贯穿所述第一硅晶圆和所述第一键合保护层； 第二硅通孔，所述第二硅通孔贯穿所述第二硅晶圆和所述第二键合保护层； 所述栅极驱动层和所述功率晶体管层通过所述第一硅通孔和所述第二硅通孔实现电连接。

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