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华中科技大学郭新获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种动态可重构的忆阻器阵列及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119296610B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411294082.5,技术领域涉及:G11C11/54;该发明授权一种动态可重构的忆阻器阵列及其制备方法是由郭新;金天;化帅斌;张乐设计研发完成,并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种动态可重构的忆阻器阵列及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种动态可重构的忆阻器阵列及其制备方法,属于半导体忆阻器技术和集成与控制电路技术。本发明提出了一种动态可重构的忆阻器阵列,通过忆阻器芯片与外围电路组合可以仅通过切换外围电路模式,动态地实现不同阵列结构的重构,包括调整忆阻器阵列的行数或列数,改变忆阻器阵列中单个阵列点的相对位置和在阵列点中更改串联的其他电学器件如二极管,晶体管或选择器。本发明先通过在单个基底上制备互相独立的忆阻器器件,再对其进行封装后连入动态可重构的外围电路从而实现不同结构的忆阻器阵列。本发明可以在相同忆阻器数目下更加灵活地实现忆阻器阵列的要求,以此更好地适应人工神经网络或其他存算一体化系统中对多种神经形态计算的要求。

本发明授权一种动态可重构的忆阻器阵列及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种动态可重构的忆阻器阵列,其特征在于,所述忆阻器阵列包括相互独立的忆阻器器件和外围电路,任意一个所述忆阻器器件从上到下为顶电极、阻变层和底电极,任意一个所述忆阻器器件的顶电极和底电极用于连接到芯片载体上,所述芯片载体的引脚通过多路开关选择性地连接到所述外围电路上,所述芯片载体能通过切换与外围电路不同连接方式,从而使得所述忆阻器阵列的结构发生动态改变。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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