长鑫存储技术有限公司王海艳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310822007.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由王海艳设计研发完成，并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决传输性能差的技术问题。该制作方法包括：在基底上形成第一导电层，基底具有多个第一凸台，以及环绕第一凸台的第一凹槽，第一导电层填充在第一凹槽内且覆盖第一凸台的顶面，第一导电层内具有多个空洞且至少部分空洞位于沿第一方向相邻的两个第一凸台之间；去除部分第一导电层，形成多个间隔设置的第二凹槽，至少部分空洞形成与第二凹槽连通的第一凹陷；在第二凹槽内、第一凹陷内和第一导电层上形成初始位线层。将至少部分空洞打开，形成与第二凹槽连通的第一凹陷，减少空洞的数量，保证半导体结构的传输性能。初始位线层填充第二凹槽和第一凹陷，便于对第一导电层进行隔离。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 在基底上形成第一导电层，所述基底具有多个间隔设置且阵列排布的第一凸台，以及环绕所述第一凸台的第一凹槽，所述第一导电层填充在所述第一凹槽内且覆盖所述第一凸台的顶面，所述第一导电层内具有多个空洞，且至少部分所述空洞位于沿第一方向相邻的两个所述第一凸台之间； 去除部分所述第一导电层，形成多个间隔设置的第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凸台的上方，且沿所述第一方向相邻的两个所述第一凸台的部分顶面暴露在同一个所述第二凹槽内，至少部分所述空洞形成与所述第二凹槽连通的第一凹陷； 在所述第二凹槽内、所述第一凹陷内，以及所述第一导电层上形成初始位线层，所述初始位线层填充满所述第二凹槽和所述第一凹陷，且覆盖所述第一导电层的顶面。
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