北京超弦存储器研究院李庚霏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310879079.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器以及电子设备是由李庚霏;李辉辉;董博闻;胡琪;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器以及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器以及电子设备。该半导体结构的制备方法包括如下步骤：在衬底上依次制备第一掺杂层、牺牲层和第二掺杂层；沿第一方向刻蚀第二掺杂层、牺牲层和第一掺杂层，以形成多道第一方向第一沟槽；刻蚀去除露出于第一方向第一沟槽中的部分牺牲层，在第一掺杂层和第二掺杂层之间制备第一沟道子层；沿第一方向刻蚀第二掺杂层、牺牲层和第一掺杂层，以形成多道第一方向第二沟槽，第一方向第二沟槽与第一方向第一沟槽交替间隔设置；刻蚀去除牺牲层，在第一掺杂层和第二掺杂层之间制备第二沟道子层，第二沟道子层接触于第一沟道子层。
本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在衬底上依次制备第一掺杂层、牺牲层和第二掺杂层； 沿第一方向刻蚀所述第二掺杂层、所述牺牲层和所述第一掺杂层，以形成多道第一方向第一沟槽； 刻蚀去除露出于所述第一方向第一沟槽中的部分所述牺牲层，在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间制备第一沟道子层； 沿所述第一方向刻蚀所述第二掺杂层、所述牺牲层和所述第一掺杂层，以形成多道第一方向第二沟槽，所述第一方向第二沟槽与所述第一方向第一沟槽交替间隔设置； 刻蚀去除所述牺牲层，在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间制备第二沟道子层，所述第二沟道子层接触于所述第一沟道子层。
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