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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310843426.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由曹新满设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底内且分立设置的多个有源区、暴露出部分所述有源区的多个开口和覆盖位于所述开口之间的衬底表面的保护层；在所述开口内形成半导体层，所述半导体层表面不低于所述保护层表面；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体层；依次刻蚀所述第一介质层和所述半导体层，以形成多个沿平行于所述衬底的方向延伸的初始位线结构；其中，所述初始位线结构包括所述半导体层和位于所述半导体层上的第一介质层。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底内且分立设置的多个有源区、暴露出部分所述有源区的多个开口和覆盖位于所述开口之间的衬底表面的保护层； 在所述开口内形成半导体层，所述半导体层表面不低于所述保护层表面； 形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体层； 依次刻蚀所述第一介质层和所述半导体层，以形成多个沿平行于所述衬底的方向延伸的初始位线结构；其中，所述初始位线结构包括所述半导体层和位于所述半导体层上的第一介质层； 形成隔离层，所述隔离层填满所述开口； 形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述初始位线结构侧壁且覆盖所述隔离层和所述保护层； 回刻去除所述初始位线结构的第一介质层，以暴露出所述初始位线结构的半导体层； 回刻去除所述初始位线结构的部分半导体层，以形成第一位线凹槽；其中，所述初始位线结构的剩余半导体层形成位线接触层，所述位线接触层和所述有源区接触；所述第一位线凹槽底部暴露出的位线接触层表面和所述保护层表面基本齐平； 在所述第一位线凹槽内依次形成位线阻挡层和位线导电层。

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