哈尔滨工业大学高世勇获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利三维海胆状Bi2S3/Bi2O2S或ZnO/Bi2O2S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411455208.2，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权三维海胆状Bi2S3/Bi2O2S或ZnO/Bi2O2S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用是由高世勇;耿秋丹;韩明睿;张荣科;周起成;王金忠设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维海胆状Bi2S3/Bi2O2S或ZnO/Bi2O2S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维海胆状Bi2S3Bi2O2S或ZnOBi2O2S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用，所述Bi2S3Bi2O2S异质结由Bi2S3纳米棒和Bi2O2S纳米花构成，所述ZnOBi2O2S异质结由ZnO纳米棒和Bi2O2S纳米花构成；所述Bi2O2S纳米花由超薄Bi2O2S纳米片构成，Bi2O2S纳米花均匀生长在衬底上；所述Bi2S3纳米棒生长在构成Bi2O2S纳米花的超薄Bi2O2S纳米片表面；所述ZnO纳米棒生长在构成Bi2O2S纳米花的超薄Bi2O2S纳米片表面；所述Bi2S3Bi2O2S异质结或ZnOBi2O2S异质结整体呈现三维海胆状结构。本发明的方法能有效促进Bi2O2S的载流子分离，提高光电探测器的灵敏度、响应度。同时，在Bi2O2S表面生长了一维Bi2S3纳米棒或ZnO纳米棒，形成三维海胆状Bi2S3Bi2O2S异质结，或ZnOBi2O2S异质结，光在材料表面进行多次反射吸收，提高了光的吸收利用率，进一步提升了光电探测器的探测性能。
本发明授权三维海胆状Bi2S3/Bi2O2S或ZnO/Bi2O2S异质结及其制备方法及在光电探测器中的应用在权利要求书中公布了：1.一种三维海胆状Bi2S3Bi2O2S或ZnOBi2O2S异质结，其特征在于，所述Bi2S3Bi2O2S异质结由Bi2S3纳米棒和BiS纳米花构成，所述ZnOBiS异质结由ZnO纳米棒和BiS纳米花构成；所述BiS纳米花由超薄BiS纳米片构成，BiS纳米花均匀生长在衬底上；所述Bi纳米棒生长在构成BiS纳米花的超薄BiS纳米片表面；所述ZnO纳米棒生长在构成BiS纳米花的超薄BiS纳米片表面；所述BiBiS异质结或ZnOBiS异质结整体呈现三维海胆状结构。
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