湖北星辰技术有限公司袁娜获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利一种键合结构及键合结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411412015.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种键合结构及键合结构的制造方法是由袁娜;赵平;梅敏;吴柱锋设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种键合结构及键合结构的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种键合结构及键合结构的制造方法，所述制造方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括从第一半导体层的键合面向内延伸的导电柱；在所述第一半导体层的键合面上形成第一键合层；所述第一键合层包括第一键合焊盘，所述第一键合焊盘与所述导电柱直接接触，且所述导电柱的尺寸至少是所述第一键合焊盘的尺寸的三倍。
本发明授权一种键合结构及键合结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种键合结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括从第一半导体层的键合面向内延伸的导电柱； 在所述第一半导体层的键合面上形成第一键合层； 所述导电柱靠近所述第一键合层的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域的热膨胀速率大于所述第二区域的热膨胀速率；所述第一键合层包括第一键合焊盘，所述第一键合焊盘与所述第二区域直接接触，且所述导电柱的尺寸至少是所述第一键合焊盘的尺寸的三倍。
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