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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利SGT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403193B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411488796.X，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权SGT器件是由曾大杰设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本SGT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SGT器件，漂移区、位于漂移区表面上的沟道区以及多个穿过沟道区的栅极沟槽。在原胞区中，栅极沟槽中同时形成有源极场板和栅极导电材料层，栅极导电材料层还侧面覆盖位于沟道区底部的漂移区的顶部区域，在反偏时，栅极导电材料层形成对漂移区的顶部区域进行横向耗尽的栅极场板。源极场板引出区中，栅极沟槽中形成有源极场板且无栅极导电材料层，在沟道区和底部的漂移区的界面区域处形成有第一补偿区域，第一补偿区域中增加了补偿注入杂质以增加对漂移区的顶部区域的耗尽能力。本发明能在保证原胞区中漂移区的掺杂浓度较高从而降低器件的比导通电阻的同时消除源极场板引出区中漂移区的顶部区域的弱点并从而提高器件的耐压。

本发明授权SGT器件在权利要求书中公布了：1.一种SGT器件，其特征在于，包括： 第一导电类型掺杂的漂移区； 形成于所述漂移区的顶部表面之上的第二导电类型掺杂的沟道区； 多个栅极沟槽，所述栅极沟槽纵向穿过所述沟道区且所述栅极沟槽的底部区域进入到所述漂移区中； SGT器件分成原胞区和源极场板引出区； 在所述原胞区中，所述栅极沟槽中同时形成有源极场板和栅极导电材料层，所述源极场板和对应的所述栅极沟槽的内侧表面之间隔离有屏蔽介质层，在所述源极场板和所述栅极导电材料层之间隔离有栅间介质层，在所述栅极导电材料层和对应的所述栅极沟槽的侧面之间隔离有栅介质层；所述栅极导电材料层的深度大于所述沟道区的深度，被所述栅极导电材料层侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成导电沟道；所述栅极导电材料层还侧面覆盖位于所述沟道区底部的所述漂移区的顶部区域，在反偏时，所述栅极导电材料层形成对所述漂移区的顶部区域进行横向耗尽的栅极场板； 所述源极场板引出区中，所述栅极沟槽中形成有源极场板，所述源极场板和对应的所述栅极沟槽的内侧表面之间隔离有屏蔽介质层； 所述原胞区中的所述源极场板和所述源极场板引出区中的所述源极场板相接触且通过所述源极场板引出区中的所述源极场板顶部的接触结构连接到由正面金属层组成的源极； 所述源极场板引出区的所述栅极沟槽中不包括所述栅极导电材料层并从而不具有所述栅极场板；在所述源极场板引出区中还包括第一补偿区域，所述第一补偿区域位于所述沟道区和底部的所述漂移区的界面区域处，所述第一补偿区域中增加了第二导电类型的补偿注入杂质，所述补偿注入杂质增加所述沟道区对所述漂移区的顶部区域的耗尽能力，以补偿所述源极场板引出区中不具有所述栅极场板时对所述漂移区的顶部区域的耗尽能力的减少； 所述补偿注入杂质的离子注入为多次不同能量的注入时，采用低能量高剂量以及高能量低剂量的组合，低能量高剂量对应的注入能量低于高能量低剂量的注入能量但是低能量高剂量对应的注入剂量量高于高能量低剂量的注入剂量。

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