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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310934659.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由胡敏锐;杨晨;蒋懿;冯道欢;赵文礼;廖昱程;肖德元设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供基底，基底包括多个沿基底厚度方向延伸的半导体柱；形成位线，位线沿第一方向延伸，位于半导体柱的底面且与初始第一掺杂区接触；形成字线，字线沿第二方向延伸，字线至少覆盖半导体柱的初始沟道区在沿垂直于第二方向上相对的两个侧面；形成接地线，接地线沿第二方向延伸，接地线穿过半导体柱的初始沟道区，接地线将半导体柱分隔为第一子半导体柱和第二子半导体柱，且接地线将字线分隔为第一子字线和第二子字线。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法至少有利于提高半导体结构的稳定性。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括多个沿所述基底厚度方向延伸的半导体柱，所述半导体柱包括沿所述基底的厚度方向依次排列的初始第一掺杂区、初始沟道区和初始第二掺杂区； 形成位线，所述位线沿第一方向延伸，位于所述半导体柱的底面且与所述初始第一掺杂区接触，在沿所述第一方向上，同一所述位线连接多个所述半导体柱； 形成字线，所述字线沿第二方向延伸，所述字线至少覆盖所述半导体柱的所述初始沟道区在沿垂直于所述第二方向上相对的两个侧面，在沿所述第二方向上，同一所述字线连接多个所述半导体柱； 形成接地线，所述接地线沿所述第二方向延伸，所述接地线穿过所述半导体柱的所述初始沟道区，所述接地线将所述半导体柱分隔为第一子半导体柱和第二子半导体柱，所述第一子半导体柱和所述第二子半导体柱均包括沿所述基底的厚度方向依次排列的第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，且所述接地线将所述字线分隔为第一子字线和第二子字线，所述第一子字线至少覆盖所述第一子半导体柱的所述沟道区远离所述接地线的一侧表面，所述第二子字线至少覆盖所述第二子半导体柱的所述沟道区远离所述接地线的一侧表面。

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