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龙图腾网获悉有研国晶辉新材料有限公司申请的专利一种超高纯锗单晶浅能级杂质的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119619110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411993080.5，技术领域涉及：G01N21/71；该发明授权一种超高纯锗单晶浅能级杂质的检测方法是由曹琳;王博;张宏玲;马远飞;纪淼;郭伟才;邢俊;张海鹏;张海涛;冯德伸;林泉;尚鹏;刘晓华设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超高纯锗单晶浅能级杂质的检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及单晶杂质检测技术领域，具体公开了一种超高纯锗单晶浅能级杂质的检测方法。本发明对锗单晶样品进行预处理后，依次进行光刻、电子束蒸发、退火处理和欧姆接触处理，得到待测样品，将待测样品放入光热电离光谱仪中，得到待测样品的光热电离光谱，对比元素的谱线位置和强度，得到超高纯锗单晶浅能级杂质的杂质种类和浓度。本发明在锗单晶的上表面生长金属铟膜无需在下表面添加导电物质即可使锗单晶在光热电离光谱仪中检测到浅能级杂质。同时，本发明利用高硝酸含量的酸洗溶液对锗单晶进行酸洗处理，使酸洗后的锗单晶能够与电子束蒸发的铟膜紧密结合，保证制备的上表面负载铟膜的样品具有良好的欧姆接触特性。

本发明授权一种超高纯锗单晶浅能级杂质的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种超高纯锗单晶浅能级杂质的检测方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一、对锗单晶样品依次进行切割、研磨、清洗、吹干、酸洗、抛光、清洗和干燥，得预处理样品，所述酸洗所用溶液为体积比2-4:1的硝酸和氢氟酸，其中，所述硝酸的质量百分浓度为60％-80％；所述氢氟酸的质量百分浓度为30％-50％； 步骤二、在所述预处理样品表面涂覆正性光刻胶，干燥，光刻，得第一处理样品； 步骤三、在惰性氛围下，利用电子束蒸发的方式在所述第一处理样品上表面生长金属铟膜，得第二处理样品； 步骤四、将所述第二处理样品浸渍于极性有机溶剂中，剥离光刻胶层，固液分离，得上表面负载金属铟膜的样品；将所述上表面负载金属铟膜的样品在惰性氛围下进行退火处理，得待测样品，其中，所述退火处理具体包括以下步骤：将所述上表面负载金属铟膜的样品从第一温度，升温到第二温度，保温，完成一次升温，重复上述升温过程多次，直至上表面负载金属铟膜的样品的温度为480℃-520℃，得待测样品；所述第一温度的温度范围为230℃-270℃；所述第二温度比第一温度高45℃-55℃； 步骤五、将所述待测样品放入光热电离光谱仪中，得到超高纯锗单晶浅能级杂质的杂质种类和浓度。

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