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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利超结器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411778132.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权超结器件的制造方法是由干超;范雨婷;刘风采;曾大杰;肖胜安设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结器件的制造方法，包括：生长第一外延层。将第一P型杂质注入到第一选定区域的第一外延层的表面区域中，第一选定区域至少包括终端区的靠近过渡区的部分区域。形成沟槽栅，沟槽栅的栅极沟槽外的栅极导电材料层都被去除，栅极沟槽内的栅极导电材料层顶部表面平整。形成阱区并进行退火。形成第二沟槽。在第二沟槽中生长P型掺杂的第二外延层，将第二沟槽外的第二外延层全部去除并使第二沟槽中的第二外延层的表面平整。完成后续正面工艺并根据控制超结结构的PN杂质互相扩散的要求设置热过程。完成背面工艺。本发明能有效控制超结结构的PN杂质互相扩散，还能改善终端区的PN平衡，提高器件的BVdss和改善BVdss的一致性以及提升EAS能力。

本发明授权超结器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 在半导体衬底的表面上生长N型掺杂的第一外延层； 采用光刻和离子注入将第一P型杂质注入到第一选定区域的所述第一外延层的表面区域中，超结器件包括有源区、过渡区和终端区，所述终端区环绕在所述有源区的周侧，所述过渡区位于所述有源区和所述终端区之间，所述第一选定区域至少包括所述终端区的靠近所述过渡区的部分区域； 在所述有源区的所述第一外延层中形成多个沟槽栅，所述沟槽栅包括形成于栅极沟槽内侧表面的栅氧化层以及填充于所述栅极沟槽中的栅极导电材料层；各所述沟槽栅位于后续对应的N型柱中；所述栅极沟槽外的所述栅极导电材料层都被去除，所述栅极沟槽内的所述栅极导电材料层顶部表面平整，用以保证实现后续第二沟槽的形成工艺，通过调节所述沟槽栅的形成工艺中的热过程以调节所述沟槽栅的质量； 通过光刻和离子注入在所述有源区和所述过渡区中形成P型掺杂的阱区并对所述阱区进行退火，各所述沟槽栅穿过所述阱区，通过调节所述阱区的退火的热过程以使所述阱区的推到设定位置并修复离子注入损伤； 进行光刻和刻蚀在所述第一外延层中形成多个第二沟槽，各所述第二沟槽之间的所述第一外延层作为N型柱；所述第二沟槽位于所述有源区、所述过渡区和所述终端区的靠近所述过渡区的部分区域中； 在所述第二沟槽中生长P型掺杂的第二外延层，将所述第二沟槽外的所述第二外延层全部去除并使所述第二沟槽中的所述第二外延层的表面平整，由填充于所述第二沟槽中的所述第二外延层组成P型柱，由所述N型柱和所述P型柱交替排列形成超结结构；在所述阱区外侧，所述第一P型杂质用于补偿由于热偏析使所述P型柱的表面区域减少的P型杂质； 完成所述超结结构之后的后续正面工艺，所述后续正面工艺中，根据控制所述超结结构的PN杂质互相扩散的要求设置热过程，以使得超结器件的导通电阻满足要求； 完成超结器件的背面工艺。

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