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龙图腾网获悉哈尔滨工程大学;中国电子科技集团公司第四十九研究所申请的专利一种气体传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119688793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411848888.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种气体传感器及其制造方法是由张庆;戴卓;霍文雅;张洪泉;张宁;王兆云;阚兴禹;程啸川;王可欣;戴宁夏;李梦杰;范光磊;穆胡罗夫·尼古拉伊万诺维奇设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气体传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：一种气体传感器及其制造方法，属于传感器技术领域。为解决传统气体传感器体积大、耗能高、灵敏度低、制造工艺复杂等问题，本发明包括将芯片基底基本外形进行电解氧化增材得到初步芯片基底；然后在底部隔热槽、顶部隔热槽对应位置涂抹光刻胶，进行光敏固化；再次进行电解氧化增材，然后去除光刻胶，得到具有底部隔热槽、顶部隔热槽的芯片基底；利用磁控溅射成膜技术，生成由铂膜组成的信号电极、参比电极和电极焊盘；将硝酸铝掺杂贵金属催化剂制成浆料搅拌混合均匀，完全覆盖在信号电极区域和参比电极区域，然后进行烘干高温煅烧，得到初步传感器芯体喷涂去敏剂，然后进行高温煅烧，得到传感器芯体；用封装外壳进行封装，得到气体传感器。

本发明授权一种气体传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种气体传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、按照芯片基底的尺寸剪切高纯铝箔，得到芯片基底基本外形； 步骤二、将芯片基底基本外形放入电解装置中，加入硼酸作为电解液进行电解氧化增材，在芯片基底基本外形上生长多孔γ-Al2O3材料，得到初步芯片基底； 步骤三、室温下用磷酸铬酸溶液浸泡初步芯片基底，得到浸泡后的初步芯片基底，然后在底部隔热槽、顶部隔热槽对应位置涂抹光刻胶，然后用光刻板盖住涂抹完光刻胶的初步芯片基底，进行光敏固化； 步骤四、将光敏固化后的初步芯片基底放入电解装置中，加入硼酸作为电解液进行电解氧化增材，然后去除光刻胶，得到具有底部隔热槽、顶部隔热槽的芯片基底； 步骤五、在具有底部隔热槽、顶部隔热槽的芯片基底上表面，利用磁控溅射成膜技术，生成由铂膜组成的信号电极、参比电极和电极焊盘； 步骤六、将硝酸铝掺杂贵金属催化剂，将掺杂后的粉末与粘合剂制成浆料搅拌混合均匀，完全覆盖在信号电极区域和参比电极区域，然后进行烘干，然后再进行高温煅烧，得到初步传感器芯体； 步骤七、对初步传感器芯体的参比电极区域喷涂去敏剂，然后进行高温煅烧，得到传感器芯体； 步骤八、对传感器芯体焊接并用封装外壳进行封装，得到气体传感器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工程大学;中国电子科技集团公司第四十九研究所，其通讯地址为：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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