安徽芯塔电子科技有限公司倪炜江获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽芯塔电子科技有限公司申请的专利一种改善雪崩能力的SiC JFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411907863.7，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种改善雪崩能力的SiC JFET器件及其制造方法是由倪炜江设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善雪崩能力的SiC JFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善雪崩能力的SiCJEFT器件及其制造方法，通过在一个沟槽中同时设置源区和栅区，并且源区的第二类型掺杂区与栅区的第二类型掺杂区的深度不同，其中源区的第二类型掺杂区的结深比栅区的第二类型掺杂区的结深更深，使得在关断状态下最大电场处在源区的第二类型掺杂区的结边缘，从而雪崩电流通过源区的欧姆接触进入源极，而不会再经过栅极，保证了雪崩的可靠性。
本发明授权一种改善雪崩能力的SiC JFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种改善雪崩能力的SiCJFET器件，其特征在于，包括从下至上依次排布的漏极、第一掺杂类型的N+层、N+缓冲层、N-漂移层、N沟道层、第二掺杂类型的P+区、栅极、源极，所述器件的正面设有沟槽结构，并在沟槽的两侧上部形成台面，沟槽的底部中间设置介质层，将沟槽的底部两侧和侧壁的第二掺杂类型的P+区隔离为两个区域，其中一个是和源极连通的第二掺杂类型的P+区，另一个是和栅极连通的第二掺杂类型的P+区； 沟槽底部两侧，源区的第二掺杂类型的P+区与栅区的第二掺杂类型的P+区的深度不同，其中源区的第二掺杂类型的P+区的结深比栅区的第二掺杂类型的P+区的结深更深，使得在关断状态下最大电场处在源区的第二掺杂类型的P+区的结边缘。
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