长鑫科技集团股份有限公司陈文静获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利三维半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411789035.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维半导体器件及其制备方法是由陈文静设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种三维半导体器件及其制备方法。该三维半导体器件包括多个半导体层，多条字线、多条位线，以及多个存储节点。多个半导体层沿第一水平方向和沿竖直方向间隔排布，半导体层沿第二水平方向延伸。多条字线沿竖直方向间隔排布，字线沿第一水平方向延伸，且包括分别位于半导体层在竖直方向上相对的两个表面上的一对导线。导线包括交替布置的多个第一部分和多个第二部分。在沿第二水平方向上，第一部分的尺寸大于第二部分的尺寸。多条位线沿第一水平方向间隔排布，位线沿竖直方向延伸，且耦接到竖直方向上的多个半导体层的一端。存储节点耦接到半导体层的另一端。上述三维半导体器件至少可以提升晶体管电流驱动能力，降低相邻存储单元间相互干扰。
本发明授权三维半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体器件，其特征在于，包括： 多个半导体层，沿第一水平方向和沿竖直方向间隔排布，每一所述半导体层沿与所述第一水平方向相交的第二水平方向延伸； 多条字线，沿所述竖直方向间隔排布，每一所述字线沿所述第一水平方向延伸，且每一所述字线包括一对导线，分别设置于每一所述半导体层在所述竖直方向上相对的两个表面上；其中，每一所述导线包括交替布置的多个第一部分和多个第二部分，在沿所述第二水平方向上，所述第一部分的尺寸大于第二部分的尺寸； 多条位线，沿所述第一水平方向间隔排布，每一所述位线沿所述竖直方向延伸，且每一所述位线耦接到所述竖直方向上的多个半导体层的一端； 多个存储节点，每一所述存储节点耦接到每一所述半导体层的另一端；在沿所述竖直方向上，靠近所述位线一端的半导体层的尺寸小于靠近所述存储节点一端的半导体层的尺寸。
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