深圳平湖实验室冯思睿获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411938192.0，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备是由冯思睿;支海朝设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括衬底、位于衬底一侧的外延层、位于外延层远离衬底一侧的沟道部和栅半导体层、位于沟道部远离衬底一侧的源极接触层及位于衬底远离外延层一侧的漏极。沟道部包括相连接的第一沟道子部和第二沟道子部，第一沟道子部位于外延层和第二沟道子部之间。栅半导体层环绕第一沟道子部。源极接触层位于第二沟道子部上，第二沟道子部隔开源极接触层和栅半导体层。漏极位于衬底远离外延层的一侧。该半导体器件应用于电力电子器件。
本发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的一侧； 沟道部，位于所述外延层远离所述衬底的一侧；所述沟道部包括相连接的第一沟道子部和第二沟道子部，所述第一沟道子部位于所述外延层和所述第二沟道子部之间； 栅半导体层，位于所述外延层远离所述衬底的一侧，且环绕所述第一沟道子部； 源极接触层，位于所述第二沟道子部远离所述衬底的一侧；所述第二沟道子部隔开所述源极接触层和所述栅半导体层； 漏极，位于所述衬底远离所述外延层的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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