武汉理工大学徐志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种碳化物过渡层-金刚石层的复合层结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411750285.0，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权一种碳化物过渡层-金刚石层的复合层结构及其制备方法是由徐志刚;王传彬;张俊辉;彭健;沈强;张联盟设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化物过渡层-金刚石层的复合层结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及金刚石涂层技术领域，提出了一种碳化物过渡层‑金刚石层的复合层结构及其制备方法。所述碳化物过渡层‑金刚石层的复合层结构包括：钽基体；沉积于所述钽基体表面的碳化物梯度层，所述碳化物梯度层中C原子含量向所述钽基体方向逐渐减少；沉积于所述碳化物梯度层表面的金刚石层。本发明通过对钽基体进行等离子体碳化处理，在基体表面制备出成分梯度分布和结构平稳过渡的碳化物层，碳化物层的表层提供能与金刚石层原子级紧密结合的C‑C键，从而实现基体材料与金刚石层的高结合强度。同时由于碳化物层的热膨胀系数处于膜基热膨胀系数之间，表现出梯度变化，能够起到减低膜基内应力的作用。
本发明授权一种碳化物过渡层-金刚石层的复合层结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化物过渡层-金刚石层的复合层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，钽基体表面抛光处理； S2，钽基体碳化处理：将钽基体置于微波等离子体化学气相沉积设备的反应腔内，用氢等离子体轰击基体，刻蚀并清除表面杂质，然后通入碳源气体进行碳化物梯度层的沉积，得到碳化物梯度层；所述碳化物梯度层中C原子含量向所述钽基体方向逐渐减少； S3，将碳化处理后的钽基体置于飞秒激光设备中，在碳化物梯度层表面刻蚀出多条横向和纵向交叉的凹槽； S4，将步骤S3刻蚀后的钽基体置于微波等离子体化学气相沉积设备的反应腔内，通入碳源气体进行金刚石层的沉积，在钽基体上得到一种碳化物过渡层-金刚石层的复合层。
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