长鑫科技集团股份有限公司司书芳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种芯片结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311278235.2，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权一种芯片结构和存储器是由司书芳设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种芯片结构和存储器。其中，芯片结构包括：第一芯片和第二芯片；第一芯片包括：多个感测放大模块；第二芯片包括：多个存储阵列片。每个感测放大模块，通过至少一个混合键合焊盘，电连接对应的两个存储阵列片中的所有存储单元。
本发明授权一种芯片结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：第一芯片和第二芯片； 所述第一芯片包括：多个感测放大模块；所述第二芯片包括：多个存储阵列片； 其中，每个所述感测放大模块，通过至少一个混合键合焊盘，电连接对应的两个所述存储阵列片中的所有存储单元； 在所述第二芯片上，多个所述存储阵列片沿第一方向和第二方向阵列排布；所述第一方向垂直于所述第二方向； 每个所述感测放大模块，电连接沿所述第一方向相邻的两个所述存储阵列片；每个所述感测放大模块沿竖直方向的投影，位于对应的两个所述存储阵列片沿竖直方向的投影之间；所述第一方向和所述第二方向分别垂直于所述竖直方向； 每个所述感测放大模块包括：左感测放大单元和右感测放大单元；每个所述存储阵列片中包括：N行所述存储单元； 所述左感测放大单元，分别电连接两个所述存储阵列片中每个所述存储阵列片的m行所述存储单元； 所述右感测放大单元，分别电连接两个所述存储阵列片中每个所述存储阵列片剩余的N-m行所述存储单元；m大于等于0，且小于等于N。
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